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Lain-Jong Li,Lance

学       位:博士

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电       邮:lance.li@kaust.edu.sa
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研究方向

碳纳米材料;二维材料;低维材料的能源应用

个人简介

男,博士,阿卜杜拉国王科技大学二维材料研究实验室主任,中国台湾奈创公司技术长,台湾自然科学基金吴大猷奖获得者,德国洪堡基金获得者。在国际材料领域,第一次成功制备出大面积、高品质、单层MoS2,并相继制备出WSe2,MoSe2,WS2等二维半导体材料,在二维材料制备领域中,走在世界的前言。在国际一流期刊发表论文200多篇,H因子50,被引用次数近10000次。

当前项目
代表成果

1.Chhowalla M, Shin H S, Eda G, et al. The chemistry of two-dimensional layered transition metal dichalcogenide nanosheets[J]. Nature chemistry, 2013, 5(4): 263-275.

2.Lee Y H, Zhang X Q, Zhang W, et al. Synthesis of Large‐Area MoS2 Atomic Layers with Chemical Vapor Deposition[J]. Advanced Materials, 2012, 24(17): 2320-2325.

3.Liu K K, Zhang W, Lee Y H, et al. Growth of large-area and highly crystalline MoS2 thin layers on insulating substrates[J]. Nano letters, 2012, 12(3): 1538-1544.

4.Wang H, Yu L, Lee Y H, et al. Integrated circuits based on bilayer MoS2 transistors[J]. Nano letters, 2012, 12(9): 4674-4680.

5.Shi Y, Hamsen C, Jia X, et al. Synthesis of few-layer hexagonal boron nitride thin film by chemical vapor deposition[J]. Nano letters, 2010, 10(10): 4134-4139.

6.Shi Y, Zhou W, Lu A Y, et al. van der Waals epitaxy of MoS2 layers using graphene as growth templates[J]. Nano letters, 2012, 12(6): 2784-2791.