张文静教授在基于硒化钨二维材料的光二极管研究上取得新进展，系统的研究了新型二维材料的光电晶体管的工作原理，发现采用高功函数的金属做接触电极，可以大大地提高光电晶体管的响应速度。发现基于二硒化钨的光电晶体管，比基于传统Si和InGaAs材料的器件具有更高的光增益和比探测度。文章发表于ACS Nano, 2014, 8 (8), 8653–8661.